BC846S.115, Биполярный транзистор SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 руб.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2000 шт. —
4.40 руб.
1 шт.
на сумму 15 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы биполярные импортные
Описание Транзистор биполярный BC846S,115 от производителя NEXPERIA отличается высоким качеством и надежностью. Этот компонент, выполненный в SMD-корпусе типа SOT363, обеспечивает простоту монтажа на печатную плату. Транзистор NPN типа подходит для широкого спектра электронных устройств, где требуется управление током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 65 В. Мощность транзистора составляет 0,3 Вт, что делает его подходящим для множества схем с низким энергопотреблением. Используя транзистор с кодом BC846S115 в ваших проектах, вы можете рассчитывать на стабильную работу и длительный срок службы. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 65 |
| Мощность, Вт | 0.3 |
| Корпус | SOT363 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | BC846S T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 65 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
