APT75GN120LG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 790 руб.
от 10 шт. —
4 660 руб.
от 25 шт. —
4 350 руб.
1 шт.
на сумму 5 790 руб.
Плати частями
от 1 449 руб. × 4 платежа
от 1 449 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt Chip
Полевой упор для траншеи IGBT 1200 В, 200 А, 833 Вт, сквозное отверстие TO-264 [L]
Технические параметры
| Base Product Number | APT75GN120 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 425nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Power - Max | 833W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | TO-264 [L] |
| Switching Energy | 8620ВµJ (on), 11400ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 60ns/620ns |
| Test Condition | 800V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet APT75GN120LG
pdf, 400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
