APT150GN120J, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 215A 625000mW 4-Pin SOT-227 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 660 руб.
от 5 шт. —
12 070 руб.
от 10 шт. —
11 080 руб.
1 шт.
на сумму 14 660 руб.
Плати частями
от 3 665 руб. × 4 платежа
от 3 665 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt Chip
IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOPВ®
Технические параметры
| Base Product Number | APT150 -> |
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 215A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.5nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | ISOTOP |
| Power - Max | 625W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | ISOTOPВ® |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet APT150GN120J
pdf, 449 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
