BCP53-10T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223
![Фото 1/3 BCP53-10T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514314.jpg)
44 руб.
29 руб.
от 10 шт. —
26 руб.
1 шт.
на сумму 29 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 100V PNP
Технические параметры
Корпус | sot223 | |
Вид | PNP | |
Монтаж | SMD | |
Мощность, Вт | 1.5 | |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 | |
Тип | биполярный | |
Ток коллектора, А | 1.5 | |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1.57 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | BCP53 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | ON Semiconductor | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.5 mm | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 72 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов