FDB3652, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 61А, 150Вт, D2PAK
![Фото 1/2 FDB3652, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 61А, 150Вт, D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/244/DOC040244552.jpg)
370 руб.
1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 61А, 150Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Case | D2PAK |
Drain current | 61A |
Drain-source voltage | 100V |
Gate charge | 53nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 43mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 150W |
Technology | PowerTrench® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 747 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов