FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module
![Фото 1/2 FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module](https://static.chipdip.ru/lib/551/DOC047551463.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/474/DOC004474028.jpg)
31 140 руб.
1 шт.
на сумму 31 140 руб.
Плати частями
от 7 785 руб. × 4 платежа
от 7 785 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPack six-pack IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 6 |
Package Type | Module |
Transistor Configuration | Six Pack |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPIM |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 737 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем