BC33725TFR, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 руб.
от 10 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 28 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | BC337 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Ширина | 3.93 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 10 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
