MOSFET R6050JNZ4C13

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

999990 шт., срок 6 недель

2 260 руб.

Кратность заказа 30 шт.

30 шт. на сумму 67 800 руб.

Плати частями
от 16 950 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8032970981

Артикул: R6050JNZ4C13

Бренд: Rohm

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

МОП-транзистор 600V N-CH 50A POWER МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	50 A
Pd - рассеивание мощности	615 W
Qg - заряд затвора	120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	83 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	50 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	120 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247G-3