FS50R12N2T7B15BPSA2 IGBT, 50 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 650 руб.
Плати частями
от 9 664 руб. × 4 платежа
от 9 664 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем