FF500R17KE4BOSA1 IGBT 1700 V AG-62MMHB-411
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 990 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 500А |
| DC Ток Коллектора | 500А |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 590 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
