IKQ50N120CT2XKSA1 Single IGBT, 100 A 1200 V PG-TO247-3-46
![Фото 1/3 IKQ50N120CT2XKSA1 Single IGBT, 100 A 1200 V PG-TO247-3-46](https://static.chipdip.ru/lib/053/DOC045053276.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC028752830.jpg)
2 530 руб.
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 75 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon hard switching TRENCHSTOP performance IGBT2 with soft, fast recovery full current rated anti-parallel emitter controlled diode in TO-247PLUS package for higher current capability.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 652 W |
Package Type | PG-TO247-3-46 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 100А |
Power Dissipation | 652Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO247-3-46 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKQ50N120CT2 SP001272736 |
Pd - Power Dissipation: | 652 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop IGBT2 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1619 КБ
Datasheet IKQ50N120CT2XKSA1
pdf, 1638 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем