FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
133 600 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 400 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200V 600A 3350W Модуль для монтажа на шасси
Технические параметры
| Base Product Number | FF600R12 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 3350W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 600A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet FF600R12IP4BOSA1
pdf, 515 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
