FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51 810 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 51 810 руб.
Плати частями
от 12 954 руб. × 4 платежа
от 12 954 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
FD200R12KE3, SP000083495
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 295А |
| DC Ток Коллектора | 295А |
| Power Dissipation | 1.05кВт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Single Chopper |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 1.05кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
