FP20R06W1E3BOMA1 IGBT Module, 27 A 600 V Module, Panel Mount
![Фото 1/2 FP20R06W1E3BOMA1 IGBT Module, 27 A 600 V Module, Panel Mount](https://static.chipdip.ru/lib/813/DOC002813556.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/512/DOC030512182.jpg)
14 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 940 руб.
Плати частями
от 3 735 руб. × 4 платежа
от 3 735 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
FP20R06W1E3, SP000092041
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 27А |
DC Ток Коллектора | 27А |
Power Dissipation | 94Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EasyPIM 1B |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Array 7 |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 27 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 94 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Screw |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 20 |
Pin Count | 20 |
PPAP | No |
Supplier Package | EASY1B-1 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем