FS30R06W1E3BOMA1 IGBT Module, 45 A 600 V Module, Panel Mount
![FS30R06W1E3BOMA1 IGBT Module, 45 A 600 V Module, Panel Mount](https://static.chipdip.ru/lib/813/DOC002813556.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 510 руб.
Кратность заказа 24 шт.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 204 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 45А |
DC Ток Коллектора | 45А |
Power Dissipation | 150Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet FS30R06W1E3BOMA1
pdf, 774 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем