FP35R12W2T4PB11BPSA1 IGBT Module, 35 A 1200 V EASY2B
![Фото 1/2 FP35R12W2T4PB11BPSA1 IGBT Module, 35 A 1200 V EASY2B](https://static.chipdip.ru/lib/398/DOC043398062.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/244/DOC047244392.jpg)
16 520 руб.
Кратность заказа 18 шт.
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 297 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
Configuration: | 3-Phase Inverter |
Continuous Collector Current at 25 C: | 35 A |
Factory Pack Quantity: | 18 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | FP35R12W2T4P_B11 SP001326042 |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 7 |
Package Type | EASY2B |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем