IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 490 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 63А, 135Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 50 uA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | IGB50N65S5 SP001502566 |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1302 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
