IKD06N60RFATMA1 Single IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin PG-TO252

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 руб.

Кратность заказа 2500 шт.

Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 375 000 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8033013910

Артикул: IKD06N60RFATMA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Pd - рассеивание мощности	100 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IKD06N60RF IKD6N6RFXT SP000939364
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	12 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	RC
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3

Мы рекомендуем