FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount

FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 030 руб.
Кратность заказа 24 шт.
Добавить в корзину 24 шт. на сумму 264 720 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8033014424
Артикул: FP10R12W1T4B3BOMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 20А
DC Ток Коллектора 20А
Power Dissipation 105Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 105Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем