FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount
![FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount](https://static.chipdip.ru/lib/636/DOC004636352.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 030 руб.
Кратность заказа 24 шт.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 264 720 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 20А |
DC Ток Коллектора | 20А |
Power Dissipation | 105Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EasyPIM Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 105Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем