IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 190 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт. на сумму 4 380 руб.
Плати частями
от 1 095 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8033342160
Артикул: IKW50N65EH5XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IKW50N65EH5 is 650 V high speed hard switching IGBT which used co-packed with rapid si-diode technology.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage 30V
Maximum Power Dissipation 275 W
Number of Transistors 1
Package Type PG-TO247
Pin Count 3

Техническая документация

Datasheet IKW50N65EH5XKSA1
pdf, 1985 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем