IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247
![IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247](https://static.chipdip.ru/lib/481/DOC047481313.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 190 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 4 380 руб.
Плати частями
от 1 095 руб. × 4 платежа
от 1 095 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IKW50N65EH5 is 650 V high speed hard switching IGBT which used co-packed with rapid si-diode technology.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
Maximum Power Dissipation | 275 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247 |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IKW50N65EH5XKSA1
pdf, 1985 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем