G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
см. техническую документацию
от 475 руб. × 4 платежа
Описание
• G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
• Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
• Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
• Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
• Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
• Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
• Superior robustness and system reliability
• Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
• 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
• 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.45Ом |
| Power Dissipation | 44Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | G2R Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Вес, г | 1.46 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
