FS150R12N3T7BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V
![Фото 1/2 FS150R12N3T7BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/886/DOC047886759.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/096/DOC044096224.jpg)
53 280 руб.
1 шт.
на сумму 53 280 руб.
Плати частями
от 13 320 руб. × 4 платежа
от 13 320 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FS150 is a EconoPACK 3 module with IGBT7 and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 150А |
DC Ток Коллектора | 150А |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
Линейка Продукции | EconoPACK 3 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT7(Trench Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1057 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем