STGF6NC60HD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
![Фото 1/3 STGF6NC60HD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436576.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
292 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 12 шт. —
190 руб.
от 23 шт. —
173 руб.
от 50 шт. —
166 руб.
2 шт.
на сумму 460 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Channel Type | N | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 6 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 20 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-220FP | |
Pin Count | 3 | |
Switching Speed | 1MHz | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGF6NC60HD
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.