STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Фото 1/2 STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт.320 руб.
от 14 шт.291 руб.
от 28 шт.280 руб.
2 шт. на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8387976799
Артикул: STGP14NC60KD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 14 A
Continuous Collector Current at 25 C 11 A
Continuous Collector Current Ic Max 7 A
Factory Pack Quantity 50
Gate-Emitter Leakage Current 150 uA
Height 9.15 mm
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 28 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series 600-650V IGBTs
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.6 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.