IRG7PH35UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

670 руб.

от 4 шт. — 570 руб.

от 8 шт. — 534 руб.

от 16 шт. — 515 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8388652594

Артикул: IRG7PH35UPBF

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А

Корпус	TO-247AC
Максимальная частота переключения, кГц	30
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A	35
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A	55
Мощность макс.,Вт	210
Особенности*: сфера применения	UPS, сварка, индукционный нагрев
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением	n-канал
Управляющее напряжение,В	6
Category	Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max)	55A
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
Family	IGBTs-Single
Gate Charge	85nC
IGBT Type	Trench
Input Type	Standard
Mounting Type	Through Hole
Online Catalog	Standard IGBTs
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
PCN Assembly/Origin	IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013
PCN Packaging	Package Drawing Update 19/Aug/2015
Power - Max	210W
Product Training Modules	IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr)	-
Series	-
Standard Package	25
Supplier Device Package	TO-247AC
Switching Energy	1.06mJ(on), 620µJ(off)
Td (on/off) @ 25°C	30ns/160ns
Test Condition	600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Вес, г	7.5