IRG4BC40KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
![Фото 1/2 IRG4BC40KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728225.jpg)
520 руб.
от 6 шт. —
440 руб.
от 11 шт. —
407 руб.
от 22 шт. —
392 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Channel Type | N | |
Collector Current (DC) | 42(A) | |
Collector-Emitter Voltage | 600(V) | |
Configuration | Single | |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Operating Temperature (Max) | 150C | |
Operating Temperature (Min) | -55C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Package Type | TO-220AB | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Rad Hardened | No | |
Вес, г | 3.07 |
Техническая документация
Документация
pdf, 281 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов