T835H-6G-TR, Симистор 600В 8А 35мА 3Q температура перехода 150°C
![Фото 1/2 T835H-6G-TR, Симистор 600В 8А 35мА 3Q температура перехода 150°C](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/754/DOC010754197.jpg)
34 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 12 шт. —
180 руб.
от 24 шт. —
165 руб.
3 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Диоды и тиристоры / Тиристоры (SCR, Triacs) / Симисторы (Triac)
Симистор 600В 8А 35мА 3Q температура перехода 150°C
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Gate Trigger Current - Igt: | 35 mA | |
Gate Trigger Voltage - Vgt: | 1 V | |
Holding Current Ih Max: | 35 mA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Non Repetitive On-State Current: | 84 A | |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 5 uA | |
On-State Voltage: | 1.5 V | |
Package / Case: | D2PAK | |
Product Category: | Triacs | |
Product Type: | Triacs | |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V | |
Series: | H-Series | |
Subcategory: | Thyristors | |
Tradename: | Snubberless | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 389 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.