IRG4BC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
![Фото 1/3 IRG4BC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827991.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728225.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
1 220 руб.
от 3 шт. —
1 140 руб.
от 5 шт. —
1 070 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
1 шт.
на сумму 1 220 руб.
Плати частями
от 305 руб. × 4 платежа
от 305 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 23A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 92A | |
Gate Charge | 50nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Standard | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Last Time Buy | |
Power - Max | 100W | |
Reverse Recovery Time (trr) | 42ns | |
Series | - | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Switching Energy | 380ВµJ(on), 160ВµJ(off) | |
Td (on/off) @ 25В°C | 40ns/91ns | |
Test Condition | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRG4BC30UD Datasheet
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов