IRGB4062DPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
![Фото 1/4 IRGB4062DPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172665.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806583.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
1 560 руб.
от 2 шт. —
1 490 руб.
от 4 шт. —
1 410 руб.
от 7 шт. —
1 330 руб.
1 шт.
на сумму 1 560 руб.
Плати частями
от 390 руб. × 4 платежа
от 390 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Максимальное напряжение кэ ,В | 600 | |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 48 | |
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 24 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 | |
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом | |
Мощность макс.,Вт | 250 | |
Температурный диапазон,С | -55...175 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRGB4062DPBF IRGP4062DPBF
pdf, 468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов