IRG4PC50FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
![Фото 1/3 IRG4PC50FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827962.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
2 000 руб.
от 2 шт. —
1 980 руб.
от 3 шт. —
1 930 руб.
от 4 шт. —
1 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 руб.
Плати частями
от 500 руб. × 4 платежа
от 500 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
Channel Type | N | |
Collector Current (DC) | 70(A) | |
Collector-Emitter Voltage | 600(V) | |
Configuration | Single | |
Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Operating Temperature (Max) | 150C | |
Operating Temperature (Min) | -55C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Package Type | TO-247AC | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Rad Hardened | No | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IRG4PC50F Datasheet
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов