STGF19NC60HD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 32W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

201 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней

240 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 12 шт. — 200 руб.

от 23 шт. — 184 руб.

от 50 шт. — 176 руб.

2 шт. на сумму 480 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8966515004

Артикул: STGF19NC60HD

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 32W

Корпус	TO-220F
Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V/1.6 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	9 A/16 A
Continuous Collector Current Ic Max	16 A
Factory Pack Quantity	1000
Gate-Emitter Leakage Current	+/-100 nA
Height	9.3 mm
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 FP
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	35 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	600-650V IGBTs
Technology	Si
Width	4.6 mm
Вес, г	3.5