NTR5105PT1G, Транзистор
![Фото 1/3 NTR5105PT1G, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735677.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/820/DOC006820479.jpg)
16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.6Ом |
Power Dissipation | 347мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 196мА |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 347мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов