EMH3FHAT2R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
75 руб.
1 шт.
на сумму 75 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN+NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | EMH3FHA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet EMH3FHAT2R
pdf, 1056 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
