DTDG14GPT100, Транзистор [SC-89]
![DTDG14GPT100, Транзистор [SC-89]](https://static.chipdip.ru/lib/518/DOC006518992.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Екатеринбург
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL NPN 60V 1A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Другие названия товара № | DTDG14GP |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 1000 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | DTDG14GP |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Вес, г | 0.1305 |
Техническая документация
Datasheet DTDG14GPT100
pdf, 992 КБ
Datasheet DTDG14GPT100
pdf, 969 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.