AOD8N25, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 5А, 78Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 5 шт. —
130 руб.
1 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
250V 8A 460mΩ@10V,1.5A 78W 4.3V@250uA N Channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 460mΩ@10V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 306pF@25V |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 78W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.2pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.2nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
AOD8N25
pdf, 370 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
