FDD5N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4 А, 1.38 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![Фото 1/2 FDD5N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4 А, 1.38 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор UNIFET2 500V
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.38Ом |
Power Dissipation | 62Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET II |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 4А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.38Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 716 КБ
Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 714 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов