FDD5N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4 А, 1.38 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 1/2 FDD5N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4 А, 1.38 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9001281205
PartNumber: FDD5N50NZTM

Описание

МОП-транзистор UNIFET2 500V

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 1.38Ом
Power Dissipation 62Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции UniFET II
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 62Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1.38Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 716 КБ
Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 714 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов