FDMC86102L, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 41Вт, MLP8, PowerTrench®
![Фото 1/2 FDMC86102L, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 41Вт, MLP8, PowerTrench®](https://static.chipdip.ru/lib/839/DOC025839342.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/765/DOC017765947.jpg)
250 руб.
от 5 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 26 S |
Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | Power-33-8 |
Pd - Power Dissipation: | 41 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 22 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
Series: | FDMC86102L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов