CSD17311Q5, MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 5 шт. —
460 руб.
1 шт.
на сумму 590 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор 30V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CSD17311Q5 |
| Технология | Si |
| Тип | 30V N-Channel NexFET Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
| Ширина | 5 mm |
| Вес, г | 0.1156 |
Техническая документация
Datasheet CSD17311Q5
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
