STGB18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 30А [D2PAK]
![Фото 1/5 STGB18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 30А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763329.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/442/DOC018442068.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC036744020.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955324.jpg)
Цена и сроки поставки по запросу
120 руб.
от 10 шт. —
107 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Base Part Number | STG*18N |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Gate Charge | 29nC |
IGBT Type | - |
Input Type | Logic |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 150W |
Series | PowerMESHв(ў |
Supplier Device Package | D2PAK |
Switching Energy | - |
Td (on/off) @ 25В°C | 650ns/13.5Вµs |
Test Condition | 300V, 10A, 5V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGB18N40LZT4
pdf, 891 КБ
Datasheet STGD18N40LZT4
pdf, 561 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов