STGF6NC60HD, Транзистор IGBT 600В 6А [TO-220FP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
180 руб.
от 10 шт. —
162 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 6 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGF6NC60HD
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов