BC857B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
22 руб.
от 100 шт. —
6.24 руб.
2 шт.
на сумму 186 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -45V, -100mA, 300mW, SOT-23, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V, Transition Frequency ft:200MHz, Power Dissipation Pd:300mW, DC Collector Current:-100mA, DC Current Gain hFE:330hFE , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Assembly | SMD |
| Collector current | -100 mA |
| Enclosure | SOT-23 |
| Max DC amplification | 475 mA |
| max. operating temperature | 150 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -50 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -45 V |
| Min DC gain | 220 mA |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power dissipation | 0.35 W |
| Saturation voltage | -650 mV |
| Transit frequency fTmin | 200 MHz |
| Version | PNP |
| Вес, г | 0.04 |
