IXFA80N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 80А, 390Вт, TO263, 120нс
![Фото 1/2 IXFA80N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 80А, 390Вт, TO263, 120нс](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC028171754.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/023/DOC046023848.jpg)
2 230 руб.
от 3 шт. —
1 740 руб.
от 10 шт. —
1 430 руб.
от 50 шт. —
1 291.33 руб.
1 шт.
на сумму 2 230 руб.
Плати частями
от 559 руб. × 4 платежа
от 559 руб. × 4 платежа
Описание
Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg Fast soft recovery body diode dv/dt ruggedness Superior avalanche capability
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.4V |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 390 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 83 @ 10 V nC |
Width | 11.05mm |
Вес, г | 2.5 |