IXDH20N120, Транзистор IGBT, NPT, 1,2кВ, 25А, 200Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 900 руб.
от 3 шт. —
1 510 руб.
от 10 шт. —
1 260 руб.
от 30 шт. —
1 064.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 900 руб.
Плати частями
от 475 руб. × 4 платежа
от 475 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор IGBT, NPT, 1,2кВ, 25А, 200Вт, TO247 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 25A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 70nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed collector current | 50A |
| Technology | NPT |
| Turn-off time | 570ns |
| Turn-on time | 175ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 83 КБ
