IXFN360N15T2, Транзистор N-МОП, полевой, 150В 310A 1070Вт 0,004Ом SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 530 руб.
от 3 шт. —
11 880 руб.
от 10 шт. —
10 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 530 руб.
Плати частями
от 3 384 руб. × 4 платежа
от 3 384 руб. × 4 платежа
Описание
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.07 kW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | GigaMOS TrenchT2 HiperFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 715 nC @ 10 V |
| Width | 25.07mm |
| Вес, г | 30.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFN360N15T2
pdf, 661 КБ
