IXTP110N055T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 110А, 180Вт, TO220-3, 38нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 3 шт. —
540 руб.
от 10 шт. —
421 руб.
от 50 шт. —
352.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 110А, 180Вт, TO220-3, 38нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 110A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 57nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 6.6mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 180W |
| Reverse recovery time | 38ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 302 КБ
