LN235N3T5G, Package/EnclosureSOT-883 fet typeN-ChannelESD Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs12V Drain-source voltage Vds30V

50400 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 100 шт.6 руб.
от 1000 шт.4.30 руб.
от 5000 шт.3.44 руб.
26 шт. на сумму 208 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003392012
Артикул: LN235N3T5G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 930mA
Manufacturer LRC
Package / Case SOT-883
Packaging Tape и Reel(TR)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 715mW
Rds On - Drain-Source Resistance 460mΩ 200mA, 4.5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.5V 250uA

Техническая документация

Datasheet LN235N3T5G
pdf, 343 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.