LN235N3T5G, Package/EnclosureSOT-883 fet typeN-ChannelESD Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs12V Drain-source voltage Vds30V
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
50400 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 100 шт. —
6 руб.
от 1000 шт. —
4.30 руб.
от 5000 шт. —
3.44 руб.
26 шт.
на сумму 208 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 930mA |
Manufacturer | LRC |
Package / Case | SOT-883 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 715mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 460mΩ 200mA, 4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 250uA |
Техническая документация
Datasheet LN235N3T5G
pdf, 343 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.