NCE603S, 60V 26m ё@10V,6A 2W 1.6V@250uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
6645 шт., срок 6-8 недель
61 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
50 руб.
от 150 шт. —
45 руб.
от 500 шт. —
38.20 руб.
5 шт.
на сумму 305 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
60V 26mΩ@10V,6A 2W 1.6V@250uA 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 6.3A, 6A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 2W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30mΩ 6A, 10V, 80mΩ 5A, 10V |
| Transistor Polarity | N и P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA, 3.5V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V, 4.3A;55mΩ@10V, 3.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@4.5V;8nC@4.5V |
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
Техническая документация
Datasheet NCE603S
pdf, 403 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
