LP2301ALT1G, Package/EnclosureSOT23 fet typeP-Channel Gate voltage Vgs0.4V Drain-source voltage Vds20V Rds OnMax@Id,Vgs110
2349 шт., срок 6-8 недель
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 1000 шт. —
8.60 руб.
от 1500 шт. —
7 руб.
11 шт.
на сумму 198 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 2A 90mΩ@4.5V,2.8A 700mW 600mV@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 480pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 640 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
