LP3407LT1G, 30V 4.1A 1.4W 70m ё@10V,4.1A 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

15000 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.7 руб.
от 500 шт.6.20 руб.
от 3000 шт.5.49 руб.
50 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003418532
Артикул: LP3407LT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 4.1A
Manufacturer Leshan Radio
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 1.4W
Rds On - Drain-Source Resistance 70mΩ 4.1A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V 250uA

Техническая документация

Datasheet LP3407LT1G
pdf, 997 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.