NCE0103M, 100V 3A 160m@10V,3A 1.5W 2V@250uA N Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
16445 шт., срок 6-8 недель
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
от 150 шт. —
22 руб.
от 1000 шт. —
18.70 руб.
10 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
100V 3A 160mΩ@10V,3A 1.5W 2V@250uA N Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3A |
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Package / Case | SOT-89(SOT-89-3) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160mΩ 3A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V, 2.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.65V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 206pF |
| Power Dissipation (Pd) | 5.2W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.2nC |
| Type | null |
Техническая документация
Datasheet NCE0103M
pdf, 330 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
